t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время17.09.19 11:26:05
На обложку
Проблемы теории гравитации и элементарных частиц. Вып. 7авторы — Станюкович К. П., ред.
Оценка влияния изменения режима вод суши на наземные экосистемыавторы — Новикова Н. М., ред.
Мощь философииавторы — Яковенко Б. В.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра — Тауц Я.
Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра
Тауц Я.
год издания — 1967, кол-во страниц — 75, язык — русский, тип обложки — мягк., масса книги — 60 гр., издательство — Мир
цена: 199.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая. Надписи на задней стороне обложки

OPTICAL PROPERTIES OF
SEMICONDUCTORS IN THE VISIBLE
AND ULTRA-VIOLET RANGES

by J. Tauc
Institute of Solid State Physics
Czechoslovak Academy of Sciences
Prague, Czechoslovakia

Progress in Semiconductors
volume 9, pp 87—133

A HEYWOOD BOOOK
TEMPLE PRESS BOOKS LIMITED
LONDON 1965


Пер. с англ. Ю. А. Махалова

Формат 84x108 1/32. Бумага типографская №2
ключевые слова — оптическ, полупроводник, ультрафиолет, твёрд, зонн, перенос, бриллюэн, фонон, экситон

Небольшая книжка директора Института физики твёрдого тела Чехословацкой Академии наук проф. Яна Тауца содержит очень сжатый систематический обзор современного состояния исследований оптических свойств полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.

Автор книги — крупный специалист по физике полупроводников — является пионером в постановке таких исследований: им лично выполнен целый ряд очень важных работ.

Для русского издания автор написал небольшое добавление, учитывающее результаты самых последних работ в этой области.

Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области изучения и использования полупроводников.


Подавляющее число публикуемых работ по физике полупроводников посвящено изучению их электронной зонной структуры и явлений переноса. Эта проблематика занимает безусловно центральное место.

Симптоматична при этом ясно выраженная в последнее время тенденция ставить исследуемые материалы в экстремальные условия опыта, используя для этого сильные электрические и магнитные поля, высокие давления и т. п. Это связано, в частности, со стремлением получить возможно более полную информацию о зонной структуре материала, в том числе вдали от экстремумов валентной зоны и зоны проводимости.

Как известно, именно особенности структуры энергетических зон в пространстве волнового вектора и величины межзонных промежутков в разных точках первой зоны Бриллюэна определяют большинство физических свойств полупроводников и других твёрдых тел.

Особенно много ценных сведений об энергетической структуре дают оптические исследования. В развитии этих исследований наблюдается та же тенденция. Всего несколько лет назад основное внимание уделялось изучению оптических свойств полупроводников вблизи края основной полосы поглощения (положение и тонкая структура края) и в области относительной прозрачности (дефекты, свободные носители заряда, фононы), соответствующей фотонам с энергиями обычно меньше 3 эв. Однако с 1960 г. положение изменилось. Число исследований полупроводников в глубине области собственного поглощения, где поглощение весьма велико, начало лавинообразно расти. С развитием соответствующей оптической аппаратуры область таких исследований удалось продвинуть к настоящему времени до 25 эв и даже более и практически сомкнуть её с областью мягких рентгеновских лучей.

Для целого ряда полупроводников получен обширный экспериментальный материал, касающийся межзонных переходов валентных электронов, влияния переходов из более глубоких зон и т. д., что позволило надёжно расшифровать зонную структуру в областях, далёких от экстремумов валентной зоны и зоны проводимости.

Предлагаемая вниманию читателя работа профессора Яна Тауца, директора Института физики твёрдого тела Чехословацкой Академии наук, содержит очень сжатый систематический обзор современного состояния исследований оптических свойств полупроводников в указанной области энергий фотонов. Профессор Тауц, крупный специалист по физике полупроводников, является пионером в постановке таких исследований и им лично выполнен целый ряд очень важных работ.

Для русского издания автор любезно согласился написать небольшое добавление, учитывающее результаты самых последних работ в этой области.

Нам кажется, что перевод этой работы на русский язык сыграет положительную роль не только потому, что даст в руки наших специалистов квалифицированно систематизированный и критический обзор зарубежных исследований по актуальному направлению физики полупроводников, но и обратит внимание физиков на необходимость более широкой постановки исследований зонной структуры оптическими методами.

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Проф. В. Жузе

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода5
Введение7
 
Глава 1. Методы экспериментального определения оптических
постоянных9
 
§ 1. Основные определения9
§ 2. Соотношения между оптическими постоянными10
§ 3. Методы измерений11
§ 4. Приготовление образцов15
 
Глава 2. Теория поглощения света в твёрдом теле18
 
§ 1. Основные соображения18
§ 2. Обсуждение основных формул21
§ 3. Правила отбора22
§ 4. Приведённая плотность состояний26
§ 5. Свободные носители тока29
§ 6. Правило сумм сил осцилляторов32
§ 7. Виртуальные переходы34
§ 8. Экситоны35
§ 9. Эффекты затухания37
§ 10. Плазменные эффекты40
§ 11. Некоторые полезные соотношения41
 
Глава 3. Экспериментальные результаты44
 
§ 1. Различные области спектра44
§ 2. Переходы между валентной зоной и зоной проводимости45
§ 3. Тонкая структура спектров57
§ 4. Экситоны58
§ 5. Подведение итогов60
§ 6. Область плазмы61
§ 7. Переходы из глубоких зон63
§ 8. Другие материалы63
 
Дополнение автора к русскому изданию65
Литература69

Книги на ту же тему

  1. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  2. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
  3. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
  4. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  5. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
  6. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
  7. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  8. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  9. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  10. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  11. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  12. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  13. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  14. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  15. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  16. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  17. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.028 secработаем на движке KINETIX :)