КнигоПровод.Ru27.04.2024

/Наука и Техника/Физика

Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение
Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение
Сборник статей
год издания — 1968, кол-во страниц — 376, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 420 гр., издательство — Мир
цена: 399.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая. Потёртая обложка

Пер. с англ. Ю. И. Рогозина и В. П. Сондаевского

Формат 84x108 1/32. Бумага кн.-журнальная
ключевые слова — полупроводник, свч-электроник, ганн, ридли-уоткинс, хилсум, перенос, свч-колебан, неустойчивост, gaas, inp, двухдолинн, диод, арсенид, эпитакс, колебан

Сборник переводных статей зарубежных специалистов посвящён одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой электроники — генераторам СВЧ на основе эффекта Ганна (возникновение электрических колебаний в однородном полупроводнике при наложении постоянного электрического поля).

Включённые в сборник статьи содержат изложение принципов работы генераторов Ганна, важнейшие экспериментальные исследования эффекта Ганна и описание его практических применений.

Книга рассчитана на инженеров и физиков, работающих в области полупроводниковой электроники, занимающихся её применениями в технике СВЧ и разработкой конкретных бортовых систем.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора5
 
I. МОДЕЛЬ РИДЛИ-УОТКИНСА-ХИЛСУМА И ОТКРЫТИЕ ЭФФЕКТА ГАННА
 
1. Б.  Р и д л и,  Т.  У о т к и н с.  Возможность возникновения
отрицательного сопротивления в полупроводниках17
2. К.  Х и л с у м.  Усилители и генераторы, основанные на
эффекте переноса электронов37
3. Дж.  Г а н н.  СВЧ-колебания тока в полупроводниках типа
AIIIBV51
4. Дж.  Г а н н.  Неустойчивости тока и распределения
потенциала в GaAs и InP55
5. Дж.  Г а н н.  Характеристики эффекта переноса электронов,
связанные с неустойчивостями в GaAs67
 
II. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
 
6. А.  Ч а й н о в е с,  У.  Ф е л д м а н,  Д.  М а к к а м б е р.  Механизм
эффекта Ганна79
7. Р.  Э н г е л ь м а н,  К.  К у э й т.  Линейная, или
«малосигнальная», теория эффекта Ганна99
8. Дж.  К о у п л е н д.  Электростатические домены в
двухдолинных полупроводниках121
9. П.  Б а т ч е р,  У.  Ф о с е т т,  К.  Х и л с у м.  Упрощенный
анализ движения стабильных доменов в эффекте Ганна131
10. П.  Б а т ч е р,  У.  Ф о с е т т.  Стабильные движущиеся
домены в эффекте Ганна152
11. Дж.  К о у п л е н д.  Стабильные слои объёмного заряда в
двухдолинных полупроводниках169
12. Б.  X а к к и.  Усиление в двухдолинных полупроводниках193
13. В.  Х е й н л е.  Определение формы колебаний тока и к.п.д.
диодов Ганна227
14. Дж.  К о у п л е н д.  Теоретическое исследование диода
Ганна в резонансной схеме236
 
III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЗМА
ЭФФЕКТА ГАННА И ВОЗМОЖНОСТИ ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ
 
15. М.  Ш ь я м,  Дж.  А л л е н,  Г.  П и р с о н.  Влияние изменения
энергетического зазора между минимумами на ганновские
колебания251
16. Дж.  Х и к с.  Некоторые характеристики движущегося домена
сильного поля з диодах, основанных на эффекте Ганна263
17. Дж.  Д э й.  СВЧ-колебания в высокоомном GaAs294
18. Д.  Д о у,  Ч.  М о ш е р,  А.  В е й н.  Генераторы большой
импульсной мощности на арсениде галлия311
19. Г.  Т и м,  М.  Б а р б е р.  Усиление СВЧ в объёме GaAs324
20. Т.  X а с т и,  П.  К а н н и н г е м,  У.  В и с с е м а н.  СВЧ-колебания
в эпитаксиальных слоях GaAs336
21. Дж.  Г а н н.  Влияние характеристик домена и внешней
схемы на колебания в GaAs344

Книги на ту же тему

  1. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
  2. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  3. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  4. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
  5. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  6. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  7. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  8. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977

© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.ru