t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время19.01.19 06:46:54
На обложку
Историко-архитектурные исследования. Статьи и материалыавторы — Подъяпольский С. С.
Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриковавторы — Вакс В. Г.
Жилищный и квартирный вопрос в России. Избранные статьиавторы — Святловский В. В.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами — Шёлль Э.
Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами
Научное издание
Шёлль Э.
год издания — 1991, кол-во страниц — 464, ISBN — 5-03-001894-8, 0-387-17582-2, тираж — 2000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 620 гр., издательство — Мир
цена: 1000.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

E. Schöll
Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors
Self-Organization Induced by Generation and Recombination Processes

Springer-Verlag
1987


Пер. с англ. к-тов ф.-м. наук Б. Н. Калинина (гл. 1, 2), Ю. Н. Астрова (гл. 3, 4) и А. М. Самсонова (гл. 5, 6)

Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная №2
ключевые слова — самоорганизац, полупроводник, фазов, детерминированн, хаос, токов, синергет, кооперативн, магнетофотопроводимост, бистабильн, Экситон, флуктуац

Книга учёного из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновение детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далёких от термодинамического равновесия. Рассматриваются токовые пространственно-временные неустойчивости и структуры, автоколебания, проводится сравнение теории с результатами экспериментальных исследований синергетических явлений в полупроводниках.

Для студентов, аспирантов и широкого круга физиков, интересующихся нелинейными явлениями в полупроводниках.


Полупроводниковый кристалл представляет собой сложную динамическую систему, в которой во многих случаях наблюдаются электрические неустойчивости, такие, как срыв тока, переключение между проводящим и непроводящим состояниями или спонтанные колебания тока или напряжения. Подобные явления возникают, когда под воздействием сильного внешнего электрического поля или освещения или при инжекции тока полупроводник переводится в состояние, далёкое от термодинамического равновесия. Физические механизмы, которые могут приводить к неустойчивостям, весьма разнообразны, но наблюдаемые явления — спонтанное образование пространственных и временных структур — часто схожи. Такие кооперативные процессы самоорганизации наблюдаются во множестве физических, химических и биологических «синергетических» систем, поддерживаемых в состоянии, далёком от термодинамического равновесия, за счёт постоянного обмена энергией или веществом. Эти неустойчивости имеют тесную аналогию с фазовыми переходами в системах, находящихся в тепловом равновесии, например в ферромагнетиках и реальных газах.

Самоорганизация и неравновесные фазовые переходы в полупроводниках вызывают в настоящее время значительный интерес по следующим двум причинам. Во-первых, эти явления лежат в основе работы ряда важных полупроводниковых приборов, используемых в современной микроэлектронике и полупроводниковой технике. Во-вторых, полупроводники представляют собой наиболее подходящие модельные системы для изучения сложной нелинейной динамики и самоорганизации, так как они открывают большие возможности для плодотворного взаимодействия теории и эксперимента. Это объясняется сравнительной лёгкостью прямого исследования многих эффектов посредством измерений тока и напряжения, позволяющих достигать хорошей воспроизводимости и высокого временного и пространственного разрешений, а также последними достижениями в технологии получения образцов с заданными свойствами («технология конструирования материалов»).

В этой книге мы сосредоточили своё внимание на таких неустойчивостях в полупроводниках, физический механизм которых основан на нелинейных процессах генерации и рекомбинации носителей заряда. Наша цель — дать систематическое теоретическое описание пространственных и временных структур, обусловленных простыми генерационно-рекомбинационными механизмами. Кроме того, предпринята попытка получить новые результаты за счёт последовательного включения в рассмотрение нелинейностей этих генерационно-рекомбинационных процессов и всех динамических степеней свободы свободных и захваченных носителей, а также за счёт привлечения и дальнейшего развития концепции неравновесных фазовых переходов. Там, где это возможно, будет проведено сравнение с экспериментом. Основное внимание будет уделено последним теоретическим и экспериментальным достижениям в этой пока ещё новой области; мы не имели намерения дать широкий обзор истории вопроса.

В этой работе мы хотим связать физику полупроводников с теорией нелинейных динамических систем, далёких от термодинамического равновесия. Поэтому она может быть полезна как для физиков, занимающихся применениями полупроводников, так и для теоретиков, поскольку она, с одной стороны, знакомит с новыми понятиями и воззрениями, необходимыми для понимания различных неустойчивостей в полупроводниках, и, с другой стороны, открывает новые применения теории синергетических систем. Материал расположен следующим образом. В гл.1 изложены основные физические принципы и некоторые сведения о неустойчивостях в полупроводниках и о неравновесных фазовых переходах. Гл. 2 содержит описание некоторых простых генерационно-рекомбинационных механизмов неравновесных фазовых переходов. Обсуждается их возможная роль в явлениях порогового переключения в кристаллических и аморфных полупроводниках, в нелинейной магнетофотопроводимости и в оптической бистабильности. В гл.3—6 исследованы пространственные и временные структуры, возникающие в результате первоначальной неустойчивости. Гл. 3 посвящена линейным модам, описывающим пространственные и временные неустойчивости. В гл.4 дан анализ развитых стационарных пространственных структур (токовых шнуров). Их стабильность и переходные процессы, такие, как спинодальный распад и зародышеобразование, обсуждаются в гл.5. В гл.6 рассматриваются временные и пространственно-временные структуры, в частности обсуждаются механизмы, приводящие к осцилляциям и хаосу, и с их использованием дано объяснение недавним экспериментам, в которых наблюдался переход к хаосу в полупроводниках в различных экспериментальных условиях…

ПРЕДИСЛОВИЕ
Э. Шёлль
Аахен, апрель 1987

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редакторов перевода5
Предисловие8
 
Глава 1. Введение11
 
1.1. Неустойчивости в полупроводниках15
1.2. Аналогии с фазовым переходом35
 
Глава 2. Бистабильность однородных стационарных состояний68
 
2.1. Модели с носителями заряда одного тока68
2.2. Модели с носителями двух типов120
2.3. Экситонные модели152
 
Глава 3. Малые флуктуации, вблизи стационарного состояния161
 
3.1. Линейные моды в моделях с носителями одного типа161
3.2. Неустойчивости, приводящие к расслоению тока175
3.3. Доменная неустойчивость182
3.4. Моды электромагнитного поля186
3.5. Колебательная неустойчивость205
 
Глава 4. Стационарные поперечные пространственные структуры213
 
4.1. Плоские слои тока213
4.2. Цилиндрические шнуры тока235
4.3. Влияние границ250
4.4. Расслоение тока в модели с двумя типами носителей274
4.5. Множественное расслоение283
 
Глава 5. Устойчивость поперечных пространственных структур289
 
5.1. Плоские токовые слои289
5.2. Цилиндрические токовые нити311
5.3. Граничные условия для образца конечных размеров314
5.4. Фазовые переходы, вызванные флуктуациями318
 
Глава 6. Автоколебания и хаос325
 
6.1. Механизмы колебаний325
6.2. Колебания типа предельного цикла336
6.3. Хаос366
 
Литература412

Книги на ту же тему

  1. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  2. Волны и взаимодействия в плазме твёрдого тела, Платцман Ф., Вольф П., 1975
  3. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  4. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  5. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  6. Теория экситонов, Нокс Р., 1966
  7. Фазовые переходы и критические явления, Стенли Г., 1973
  8. Природа критического состояния, Фишер М., 1968
  9. Квантовые процессы в полупроводниках, Ридли Б., 1986
  10. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  11. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  12. Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика, модуляция, спектры, Тсанг У., ред., 1990
  13. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  14. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
  15. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  16. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  17. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
  18. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  19. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория, Ланно М., Бургуэн Ж., 1984
  20. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешётками, Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П., 1989
  21. Новое в синергетике. Загадки мира неравновесных структур, 1996
  22. Синергетика: Сборник статей, Рязанов А. И., Суханов А. Д., сост., 1984
  23. Введение в нелинейную физику: От маятника до турбулентности и хаоса, Заславский Г. М., Сагдеев Р. 3., 1988

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.031 secработаем на движке KINETIX :)