t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время17.07.19 07:18:39
На обложку
Буддизм и государство на Дальнем Востоке. Сборник статейавторы — Делюсин Л. П., ред.
Теория просачивания для математиковавторы — Кестен X.
Источники «Повести о Светомире царевиче» Вяч. Иванова: Древняя…авторы — Топорков А. Л.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах — Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б.
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах
Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б.
год издания — 1977, кол-во страниц — 256, тираж — 5200, язык — русский, тип обложки — твёрд. картон, масса книги — 260 гр., издательство — Советское радио
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Формат 84x108 1/32. Бумага типографская №2
ключевые слова — поверхност, полупроводник, мдп, фотоэлектр, фотолюминесцен, электрооптическ, варикап, зарядов, квазичастиц, адсорбц, фотомагнит, фото-э.д.с., фотопроводимост, электроотражен

В книге рассматривается влияние поверхности и приповерхностных областей пространственного заряда на неравновесные процессы в полупроводниках и структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Проанализированы основные закономерности протекания фотоэлектрических, фотолюминесцентных и электрооптических явлений в приповерхностных слоях полупроводников, а также рассмотрены методы определения поверхностных характеристик и их влияние на работу классических полупроводниковых приборов с p-n-переходами. Изложены физические основы действия таких полупроводниковых приборов, как МДП-варикапы и фотоварикапы, МДП-транзисторы и приборы с зарядовой связью. Описано влияние поверхности на их работу.

Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников, конструирования и исследования полупроводниковых приборов. Она может быть полезной также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.

88 рис., 5 табл., библ. 283 назв.


Интегральная электроника и интегральная оптика — важнейшие направления современной микроэлектроники. Прогресс в указанных областях непосредственно связан с изучением специфики явлений, протекающих на поверхности полупроводника, на границах раздела полупроводник-диэлектрик, полупроводник-металл и т. п.

Имеются четыре основные причины, из-за которых наличие границы раздела приводит к видоизменению физических явлений в твёрдых телах и к возможности их практического использования. Во-первых, в тонком приповерхностном слое полупроводника могут быть локализованы поверхностные электронные состояния и поверхностные квазичастицы, свойства которых существенно отличаются от объёмных. Во-вторых, сами объёмные характеристики вещества изменяются по мере того, как размер кристалла в одном из направлений становится сравнимым с какой-нибудь из характеристических длин (длиной свободного пробега, длиной экранирования, длиной волны электрона и т. д.). В-третьих, на границе раздела двух фаз имеет место их специфическое взаимодействие и влияние одной фазы на другую (например, туннелирование электронов из полупроводника в окисел, гибридизация — обмен электронами между металлом и полупроводником и т. д.). В-четвёртых, приповерхностные области полупроводника являются, как правило, областями сильных электрических полей, величиной которых можно управлять при создании ряда функциональных микроэлектронных устройств.

Ряд проблем физики поверхности полупроводников, этой сравнительно молодой отрасли науки о полупроводниках, уже освещён в монографиях отечественных и зарубежных авторов. В них излагаются основные идеи физики поверхности, классические экспериментальные методы исследования электронных процессов на поверхности полупроводников (эффект поля и т. п.), описывается природа электронных состояний на поверхностях различного типа (атомарно-чистая, реальная, окисленная), обсуждаются проблемы катализа и адсорбции и т. д.

Это обстоятельство позволило в настоящей монографии сконцентрировать внимание на неравновесных приповерхностных процессах, на использовании которых в значительной степени основывается современная интегральная электроника.

Задачей изложения физических основ интегральной электроники обусловлен и характер построения книги. Вначале рассматриваются те явления, которые наиболее ярко раскрывают специфику неравновесных поверхностных процессов и позволяют определить фундаментальные характеристики поверхностных состояний и поверхностных квазичастиц. К таким явлениям авторы относят, прежде всего, фотоэлектрические и оптические процессы, протекающие на поверхности и в области приповерхностного пространственного заряда. В связи с этим в разд. I и II изложена феноменологическая теория неравновесных приповерхностных процессов и приведены результаты экспериментальных исследований фотомагнитного эффекта, конденсаторной фото-э.д.с., фотопроводимости, фотолюминесценции и электроотражения, полученные с использованием этой теории. Освещено также влияние поверхности на классические полупроводниковые приборы с p-n-переходом. Наконец, в разд. III описываются полупроводниковые устройства, основанные на непосредственном использовании неравновесных приповерхностных процессов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Рассмотрены приборы, наиболее широко применяющиеся в современной интегральной электронике: МДП-варикапы и фотоварикапы, МДП-транзисторы и фототранзисторы, приборы с зарядовой связью. В заключение кратко описаны поверхностные явления, перспективные для их прикладного использования в ближайшем будущем.

Авторы благодарны В. Г. Литовченко, О. В. Снитко и В. А. Тягаю за обсуждение ряда вопросов, изложенных в монографии, Г. Е. Пикусу и В. В. Поспелову за ценные замечания, сделанные при рецензировании рукописи.

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие3
 
Р А З Д Е Л  I
ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПРОТЕКАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПРОЦЕССОВ
НА ПОВЕРХНОСТИ И В ОБЛАСТИ ПРИПОВЕРХНОСТНОГО
ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
 
Глава 1. Основные представления о рекомбинации и захвате
неравновесных носителей заряда на поверхности полупроводников5
 
1.1. Особенности захвата на поверхности5
1.2. Мономолекулярный обмен носителями заряда между разрешёнными
зонами и ПЭС7
1.3. Эффективная скорость мономолекулярной поверхностной
рекомбинации (дискретные центры)10
1.4. Кинетика электронного обмена и статистика поверхностной
рекомбинации при наличии поверхностных зон14
1.5. Бимолекулярный обмен носителями между объёмными зонами и ПЭС17
 
Глава 2. Распределение неравновесных носителей в приповерхностных
слоях полупроводников18
 
2.1. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок18
2.2. Распределение неравновесных носителей заряда в полупроводнике
в случае постоянных квазиуровней Ферми23
2.3. Форма области пространственного заряда и распределение
носителей при термодинамическом равновесии25
2.4. Распределение избыточных носителей в полупроводниковой
пластинке при малых уровнях инъекции (постоянные квазиуровни
Ферми)31
2.5. Нарушение квазиравновесия в полупроводниках и критерии
постоянства квазиуровней Ферми36
 
Р А З Д Е Л  II
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ
СЛОЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
 
Глава 3. Фотомагнитный эффект42
 
3.1. Введение42
3.2. Общие выражения43
3.3. Ток короткого замыкания ФМЭ при постоянных квазиуровнях Ферми
для электронов и дырок47
3.4. Фотомагнитный эффект при отсутствии квазиравновесия в ОПЗ51
 
Глава 4. Фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках56
 
4.1. Разновидности фото-э.д.с.56
4.2. Общие выражения57
4.3. Анализ зависимости поверхностной фото-э.д.с. от фактора
перераспределения поверхностного заряда при освещении
и коэффициента поглощения света61
4.4. Сопоставление экспериментальных данных по поверхностной
фото-э.д.с. в Ge и Si с теорией65
4.5. Поверхностная фото-э.д.с. в других полупроводниковых материалах73
 
Глава 5. Влияние поверхности на фотопроводимость полупроводников75
 
5.1. Расчёт влияния поверхности на стационарную фотопроводимость
полупроводников типа германия и кремния75
5.2. Расчёт влияния поверхности на кинетику фотопроводимости
биполярных полупроводников87
5.3. Экспериментальное исследование влияния поверхности на
собственную фотопроводимость германия и кремния93
5.4. Влияние поверхности на фотопроводимость квазимонополярных
полупроводников102
 
Глава 6. Влияние поверхности на характеристики фотодиодных структур106
 
6.1. Общие выражения106
6.2. Стационарный режим109
6.3. Кинетический режим110
 
Глава 7. Фотолюминесценция на поверхности и в области
приповерхностного пространственного заряда115
 
7.1. Общие теоретические соотношения115
7.2. Экспериментальное исследование фотолюминесценции в ОПЗ121
7.3. Экспериментальное исследование поверхностной фотолюминесценции122
 
Глава 8. Анализ поверхностных характеристик полупроводников
и их влияеия на параметры классических полупроводниковых
приборов140
 
8.1. Определение поверхностных характеристик фотоэлектрическими
и оптическими методами140
8.2. Влияние поверхности на статические характеристики
полупроводниковых приборов171
 
Р А З Д Е Л  III
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ОСНОВАННЫЕ НА ИСПОЛЬЗОВАНИИ
НЕРАВНОВЕСНЫХ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ
 
Глава 9. Поверхностные варикапы и фотоварикапы186
 
9.1. Общие сведения186
9.2. Физические принципы действия МДП-варикапов187
9.3. Определение параметров полупроводниковых материалов
из измерений поверхностной ёмкости197
9.4. Принцип действия поверхностного фотоварикапа200
9.5. Разновидности поверхностных варикапов203
 
Глава 10. Полевые транзисторы206
 
10.1. Разновидности и особенности полевых транзисторов206
10.2. Принцип действия МДП-транзисторов207
10.3. Влияние поверхностных состояний на работу МДП-транзисторов211
10.4. Влияние поверхностного рассеяния на подвижность носителей
в МДП-транзисторах214
10.5. Влияние освещения на МДП-транзисторы217
 
Глава 11. Приборы с зарядовой связью220
 
11.1 Принцип действия220
11.2. Режим хранения информации222
11.3. Режим переноса информации225
11.4. Влияние поверхностных состояний на работу ПЗС227
11.5. ПЗС со скрытым каналом230
11.6. Применение ПЗС и их преимущества перед другими приборами231
 
Заключение232
Список литературы236
Предметный указатель251

Книги на ту же тему

  1. Химическая физика поверхности твёрдого тела, Моррисон С., 1980
  2. Методы анализа поверхностей, Зандерна А. В., ред., 1979
  3. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
  4. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
  5. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  6. Введение в физику поверхности, Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М., 2006
  7. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  8. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009
  9. Электронные явления в гетерогенном катализе, Рогинский С. 3., 1975
  10. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  11. Молекулярная теория адсорбции в пористых телах, Товбин Ю. К., 2013
  12. Плазменная технология в производстве СБИС, Айнспрук Н., Браун Д., ред., 1987
  13. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  14. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  15. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  16. Дефекты и колебательный спектр кристаллов: Теоретические и экспериментальные аспекты влияния точечных дефектов и неупорядоченностей на колебания кристаллов, Марадудин А., 1968
  17. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  18. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  19. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках, Мурзин В. Н., 1985
  20. Электрооптические кристаллы, Сонин А. С., Василевская А. С., 1971
  21. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
  22. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  23. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
  24. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках, Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., 1969
  25. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешётками, Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П., 1989
  26. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение, 1968
  27. Высокочастотный нагрев диэлектриков и полупроводников, Мазнин А. Н., Нетушил А. В., Парини Е. П., 1950
  28. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.022 secработаем на движке KINETIX :)