t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время18.06.19 01:39:42
На обложку
Алкоголизм: (Руководство для врачей)авторы — Морозов Г. В., Рожнов В. Е., Бабаян Э. А., ред.
Творческие взгляды советских писателейавторы — Ковалев В. А., ред.
Вэн Клайбернавторы — Хентова С. М.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Радиоэлектроника. Электротехника

Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем — Бушминский И. П., Гудков А. Г., Дергачев В. Ф., Кузьмин А. П., Усачев В. П.
Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем
Научное издание
Бушминский И. П., Гудков А. Г., Дергачев В. Ф., Кузьмин А. П., Усачев В. П.
год издания — 1987, кол-во страниц — 272, тираж — 5700, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 360 гр., издательство — Радио и связь
цена: 499.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

Р е ц е н з е н т: проф. А. Л. Фельдштейн

Формат 60x90 1/16. Бумага книжно-журнальная №2. Печать высокая
ключевые слова — полосков, микросхем, диод, фазовращател, фазостабильн, аттенюатор, транзистор, усилител, микроэлектрон, радиоэлектрон, свч, схемотехн, сапр, гис, полупроводников, резонатор, ответвител

Книга посвящена проблеме повышения эффективности производства полосковых микросхем. В качестве исходной концепции принято положение, что общей целью проектирования является создание устройства с заданными эксплуатационными параметрами, выпуск которого можно осуществить при минимальных производственных затратах. Приводятся принципы и разработанные на их основе методы, которые позволяют осуществить адаптацию полосковой микросхемы к технологическому процессу или взаимную их адаптацию за счёт обоснованного выбора номиналов параметров топологии и точности её изготовления по критерию минимума технологической себестоимости годного изделия. Ту же цель преследует и введение в топологию элементов, компенсирующих действие дестабилизирующих факторов на электрические параметры полоскового узла.

На базе предлагаемых методов разработаны методики технологической оптимизации параметров конструкций и процессов производства для различных типов линий и узлов на их основе. Рассмотрены симметричная, несимметричная, а также связанные полосковые линии, направленные ответвители и фильтры на их основе. Получены их стохастические модели, на базе которых выполнена технологическая оптимизация и оценена её эффективность. Рассмотрена технологическая оптимизация микрополосковых диодных устройств — смесителей и детекторов, выключателей и переключателей, дискретных фазовращателей и фазостабильных аттенюаторов. Во всех случаях технологическая оптимизация дала положительные результаты. Рассмотрены транзисторные усилители. Их технологическая оптимизация также явилась результативной и обеспечила рост вероятности выхода годных изделий.

В книге приведены алгоритмы, графики и таблицы, позволяющие проектировать полосковые микросхемы по стоимостному критерию.

Для научных работников, занимающихся конструкторско-технологическим проектированием гибридных интегральных схем СВЧ.

Табл. 16. Ил. 204. Библиогр. 90 назв.


Внедрение микроэлектроники определило качественно новый этап развития радиоэлектроники вообще и техники СВЧ в частности. В его начальный период внимание специалистов было сосредоточено на построении теоретических основ, разработке инженерных методик анализа и синтеза микрополосковых устройств, создании технологической базы для их изготовления. Несомненные успехи, достигнутые в этой области, в большой степени обеспечены применением машинных методов проектирования и использованием мини- и микроЭВМ в технологическом оборудовании.

Созданные научная и производственная базы явились основой и предпосылкой для разработки устройств большой функциональной сложности, включающих сотни, а иногда и тысячи модулей СВЧ. С ростом функциональной сложности существенно возросли требования к точности электрических параметров СВЧ-микросхем, их воспроизводимости в условиях серийного производства.

Это, в свою очередь, закономерно поставило новую проблему — разработку путей и методов создания микроэлектронных устройств СВЧ, выпуск которых мог бы быть осуществлён при минимальных производственных затратах. Данная проблема характерна для современного этапа развития микроэлектроники СВЧ и требует своего незамедлительного решения.

Практика показала, что пути её решения следует искать в комплексном рассмотрении схемотехнических, конструкторских и технологических вопросов. Это требует создания своей научной базы и определения путей реализации комплексного рассмотрения.

Данная книга является первой в отечественной и зарубежной литературе, где систематически излагаются принципы и методы комплексного проектирования микроэлектронных устройств СВЧ по критерию минимальных производственных затрат, а также рассмотрены конкретные приложения к типовым устройствам.

Авторы предлагают ввести в сложившуюся систему проектирования дополнительную подсистему, которая бы всесторонне учитывала связь между технологическим, конструкторским и схемотехническим проектированием. Изложение построено на широком фактическом материале, приводимые результаты иллюстрируют высокую эффективность комплексного проектирования, а методики могут быть использованы при создании комплексных САПР ГИС СВЧ.

ПРЕДИСЛОВИЕ
Член-корреспондент АН СССР Л. Д. Бахрах

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие3
Введение4
 
Г л а в а  1.  Технологическая оптимизация элементов и узлов ГИС СВЧ9
 
1.1. Постановка задачи технологической оптимизации9
1.2. Первый принцип технологической оптимизации13
1.3. Второй принцип технологической оптимизации24
1.4. Третий принцип технологической оптимизации32
1.5. Конструкционные параметры полосковых элементов и узлов38
 
Г л а в а  2.  Анализ и технологическая оптимизация параметров МПЛ и лолосковых линий передачи52
 
2.1. Погрешности геометрических размеров52
5.1.1. Регулярные погрешности геометрических размеров (52). 2.1.2. Дефекты края полоскового проводника (66). 2.1.3. Непрямоугольность поперечного сечения полоскового проводника (68)
2.2. Влияние разброса электрических и магнитных параметров подложек на электрические параметры МПЛ и полосковых линий72
2.2.1. Регулярные погрешности параметров материала диэлектрической подложки (72). 2.2.2. Регулярные погрешности ε и μ материала подложки (78). 2.2.3. Нерегулярные погрешности ε и μ (84)
2.3. Совместное влияние конструкционно-технологических погрешностей86
2.4. Технологическая оптимизация МПЛ92
2.4.1. Введение компенсирующих элементов (92). 2.4.2. Выбор оптимальных номиналов конструкционных параметров и точности технологического процесса (97)
 
Г л а в а  3.  Анализ « технологическая оптимизация связанных МПЛ и узлов на их основе107
 
3.1. Общая характеристика связанных МПЛ107
3.2. Общая характеристика и классификация узлов СВЧ на связанных МПЛ110
3.3. Анализ и технологическая оптимизация связанных МПЛ114
3.3.1. Введение компенсирующего элемента (114). 3.3.2. Оптимизация номиналов волновых сопротивлений СМПЛ (117)
3.4. Анализ и технологическая оптимизация полосно-пропускающих фильтров на связанных МПЛ125
3.4.1. Анализ влияния конструкционно-технологических погрешностей (125). 3.4.2. Способы выполнения технологической оптимизации номинальных конструкционных параметров ППФ (132)
3.5. Анализ и технологическая оптимизация направленных ответвителей на связанных МПЛ145
 
Г л а в а  4.  Анализ и технологическая оптимизация микрополосковых диодных устройств СВЧ154
 
4.1. Полупроводниковые диоды ГИС СВЧ155
4.1.1. Конструкции и параметры смесительных и детекторных диодов (155). 4.1.2. Конструкции и параметры переключательных диодов (161). 4.1.3. Интегральный элемент (165)
4.2. Анализ и технологическая оптимизация микрополосковых смесительных и детекторных устройств165
4.2.1. Особенности устройств на МПЛ и диодных камер (165). 4.2.2. Связь предельных параметров эквивалентной схемы диодов и условий согласования (168). 4.2.3. Статистические характеристики интегральных элементов (172). 4.2.4. Технологическая оптимизация детекторных и смесительных устройств (174)
4.3. Анализ и технологическая оптимизация выключателей и переключателей177
4.3.1. Основные параметры (177). 4.3.2. Технологическая оптимизация выключателя (179). 4.3.3. Технологическая оптимизация переключателя (185)
4.4. Анализ и технологическая оптимизация дискретных фазовращателей187
4.4.1. Краткая характеристика фазовращателей (187). 4.4.2. Основные параметры фазовращателей (189). 4.4.3. Анализ влияния погрешностей изготовления на параметры фазовращателя (190). 4.4.4. Технологическая оптимизация фазовращателей (195)
4.5. Анализ и технологическая оптимизация дискретных фазостабильных аттенюаторов201
4.5.1. Краткая характеристика фазостабильных аттенюаторов (201). 4.5.2. Основные параметры (202). 4.5.3. Расчёт параметров фазостабильных аттенюаторов (203)
 
Г л а в а  5.  Технологическая оптимизация линейного транзисторного усилителя218
 
5.1. Общий подход к технологической оптимизации линейных транзисторных усилителей219
5.2. Анализ вероятностных характеристик пассивных согласующих цепей227
5.3. Связь между оптимальностью транзисторного усилителя и оптимальностью его составных частей240
 
Г л а в а  6.  Технологическая оптимизация полосковых элементов и узлов ГИС СВЧ на основе отрезков МПЛ242
 
6.1. Микрополосковый резонатор243
6.2. Микрополосковый резистор250
6.3. Микрополосковый шлейфовый направленный ответвитель256
 
Заключение260
Список литературы263
Предметный указатель267

Книги на ту же тему

  1. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем, Влах И., Сингхал К., 1988
  2. Алгоритмы анализа электронных схем. — 2-е изд., перераб. и доп., Сигорский В. П., Петренко А. И., 1976
  3. Схемотехническое проектирование и моделирование радиоэлектронных устройств (без CD), Антипенский Р. В., Фадин А. Г., 2007
  4. Методы машинного расчёта электронных схем, Калахан Д., 1970
  5. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре, Зельдин Е. А., 1986
  6. Печатные схемы: Их конструирование и применение, Дьюкс Д. М., 1963
  7. Структурное моделирование в CALS-технологиях, Павлов В. В., 2006
  8. Обслуживание микропроцессорных систем, Фергусон Д., Макари Л., Уилльямз П., 1989
  9. Технология полупроводникового и электровакуумного машиностроения. Уч. пособие для студентов вузов, Кондратьев А. Б., 1969

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.021 secработаем на движке KINETIX :)