Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время14.11.18 17:17:00
На обложку
Знаменитый утёнок Тимавторы — Блайтон Э. М.
Метод частиц в динамике разреженной плазмыавторы — Березин Ю. А., Вшивков В. А.
Демократические силы в борьбе за объединение Италии 1831—1860авторы — Невлер (Вилин) В. Е.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
ЛитПамятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Физика

Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика, модуляция, спектры — Тсанг У., ред.
Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика, модуляция, спектры
Производственное издание
Тсанг У., ред.
год издания — 1990, кол-во страниц — 320, ISBN — 5-256-00662-2, 0-12-752151-8, тираж — 4560, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 400 гр., издательство — Радио и связь
серия — Semiconductors And Semimetals
цена: 700.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — хорошая

SEMICONDUCTORS
AND SEMIMETALS
VOLUME 22
Lightwave Communications Technology

Volume Editor W. T. TSANG
AT & T Bell Laboratories

Semiconductor Injection Lasers, I

ACADEMIC PRESS 1985

Пер. с англ. А. Ф. Солодкова, А. Г. Плявенека, И. А. Рачкова

Формат 60x90 1/16. Бумага кн.-журн. №1. Печать высокая
ключевые слова — полупроводник, инжекцион, лазер, субнаносекунд, волоконн, голограф, спектроскоп, метролог, фотоприёмник, одночастотност, синхронизац, ультракоротк, суперлюминесцен, модуляц, одномодов, бистабильност, стробир

Книга известных американских и японских учёных посвящена обсуждению проблем использования полупроводниковых инжекционных лазеров в качестве источников импульсного излучения субнаносекундной длительности. Показаны возможности управления их временными и спектральными характеристиками. Рассмотрены динамика и спектры излучения инжекционных лазеров различных типов, в том числе лазеров с распределённой обратной связью и составным резонатором.

Для инженерно-технических работников, связанных с созданием и использованием инжекционных лазеров в таких областях, как волоконная оптика, импульсная голография и спектроскопия, метрология скоростных фотоприёмников и волоконно-оптические линии связи.


Предлагаемая читателю книга входит в фундаментальную серию монографий «Полупроводники и полуметаллы», выпускаемую в США издательством Academic Press под общей редакцией Р. Уиллардсона и А. Вира. Книга вышла в свет в 1985 г. в составе двадцать второго тома, носящего название «Техника оптической связи», с предисловием К. Патела и под редакцией У. Тсанга (приглашённый издатель), которые являются ведущими научными сотрудниками фирмы AT & Т Bell Laboratories.

Несмотря на столь значительную задержку издания книги на русском языке её содержание сохраняет актуальность и поныне. Это следует как из того факта, что полупроводниковые лазеры и сегодня и в обозримом будущем — наиболее эффективные источники излучения для высокоинформативных линий связи, так и из простого ознакомления с оглавлением книги и составом её авторов, известных специалистов по квантовой электронике и лазерной технике, представляющих крупнейшие в этой области исследовательские центры США и Японии.

К проблемам, рассматриваемым в книге, относятся высокочастотная информативная амплитудная модуляция, спектральные свойства излучения, включая задачу сохранения спектральной чистоты (одночастотности) при глубокой амплитудной модуляции, пассивная и активная синхронизация мод и генерирование ультракоротких импульсов света, а также свойства составного лазера с тесным расположением резонаторов (так называемого лазера типа С3), обладающего богатым набором возможностей гибкого управления характером излучения…

ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие к русскому изданию7
Вступительное слово .9
Предисловие13
 
Г л а в а   1.  Синхронизация мод полупроводниковых лазеров
 
Дж. ван дер Зил15
 
1.1. Введение15
1 2. Теория синхронизации мод полупроводникового лазера16
1.3. Обзор экспериментальных работ34
 
Г л а в а   2.  Высокочастотная токовая модуляция полупроводниковых
инжекционных лазеров
 
К. Лау, А. Ярив73
 
2.1. Введение73
2.2. Динамика лазеров, скоростные уравнения и область их
применения74
2.3. Переходные процессы и модуляция полупроводниковых
ижекционных лазеров слабыми сигналами80
2.4. Предельные частоты модуляции полупроводниковых
инжекционных лазеров92
2.5. Паразитные элементы и цепи при высокочастотной
модуляции116
2.6. Влияние суперлюминесценции и снижения коэффициентов
отражения зеркал на модуляционные характеристики125
2.7. Другие виды модуляции и модуляционные эффекты129
2 8. Заключение137
 
Г л а в а   3.  Спектральные свойства полупроводниковых лазеров.
 
Ч. Генри138
 
3.1. Введение138
3 2. Поглощение, излучение и усиление139
3,3. Модовый состав излучения150
3 4. Флуктуации162
 
Г л а в а   4.  Полупроводниковые лазеры с распределённым отражателем,
сохраняющие одномодовость в динамическом режиме
 
Я. Суэматсу, К. Кисино, С. Араи, Ф. Кояма177
 
4.1. Введение177
4.2. Устройство и теоретический анализ динамически одномодовых
лазеров180
4.3. Технология и характеристики динамически одномодовых лазеров200
4.4. Обсуждение209
 
Г л а в а   5.  Лазер с составным резонатором со связью через сколы
 
У. Тсанг213
 
5.1. Введение218
5.2. Изготовление лазеров с составным резонатором со связью через
сколы218
5.3. Одномодовое генерирование при высокоскоростной модуляции225
5.4. Дискретная одночастотная перестройка длины волны231
5.5. Аналоговая модуляция частоты237
5.6. Стабилизация частоты с помощью обратной связи242
5.7. Рабочие характеристики лазеров с составным резонатором со
связью через сколы245
5.8. Эксперименты по передаче информации с помощью лазера с
составным резонатором со связью через сколы, работающего на
длине волны 1,55 мкм249
5 9. Многоуровневая многоканальная оптическая частотная
манипуляция264
5 10. Системы оптической коммутации266
5.11. Использование спектральной бистабильности для частотной
манипуляции269
5 12. Стробирующий полупроводниковый лазер с синхронизацией мод
и электрически управляемым поглотителем272
5.13. Лазер с составным резонатором со связью через сколы и с
интегральным внутрирезонаторным модулятором добротности277
5.14. Усилитель-модулятор, интегрально совмещённый с лазером с
составным резонатором279
5 15. Оптические логические элементы283
5.16. Самоюстирующийся модуль лазер-детектор287
5.17. Теоретический анализ лазера с составным резонатором со связью
через сколы291
5.18. Заключение303
Список литературы306
Список работ советских авторов и работ, переведённых на русский язык320

Книги на ту же тему

  1. Квантовая оптика и квантовая радиофизика, Кролль Н., Глаубер Р., Лэмб У., Вантер Ж., 1966
  2. Кинетическая теория лазеров, Машкевич В. С., 1971
  3. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  4. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
  5. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
  6. Физические основы квантовой электроники (оптический диапазон), Тарасов Л. В., 1976
  7. Эксимерные лазеры, Роудз Ч., ред., 1981
  8. Химические лазеры, Гросс Р., Ботт Д., ред., 1980
  9. Перестраиваемые лазеры на красителях и их применение, Копылов С. М., Лысой Б. Г., Серегин С. Л., Чередниченко О. Б., 1991
  10. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.027 secработаем на движке KINETIX :)