t.me/knigoprovod Отправить другу/подруге по почте ссылку на эту страницуВариант этой страницы для печатиНапишите нам!Карта сайта!Помощь. Как совершить покупку…
московское время12.11.19 21:22:55
На обложку
Еловые леса Россииавторы — Рысин Л. П., Савельева Л. И.
Теория электронной эмиссии из металловавторы — Бродский А. М., Гуревич Ю. Я.
Космическая магнитная гидродинамикаавторы — Амари Т., Бергер М., Буссе Ф., Велли М., Гессе М., Граппен Р., Гуссенс М., Демулен П., Джардайн М., Джонс К., Манжене А., Прист Э., Роберте Б., Сондерс М., Ферн Д., Хейвартс Ж., Худ А., Хьюа Д., Цинганос К.
б у к и н и с т и ч е с к и й   с а й т
Новинки«Лучшие»Доставка и ОплатаМой КнигоПроводЗаказ редких книгО сайте
Книжная Труба   поиск по словам из названия
Авторский каталог
Каталог издательств
Каталог серий
Моя Корзина
Только цены
Рыбалка
Наука и Техника
Математика
Физика
Радиоэлектроника. Электротехника
Инженерное дело
Химия
Геология
Экология
Биология
Зоология
Ботаника
Медицина
Промышленность
Металлургия
Горное дело
Сельское хозяйство
Транспорт
Архитектура. Строительство
Военная мысль
История
Персоны
Археология
Археография
Восток
Политика
Геополитика
Экономика
Реклама. Маркетинг
Философия
Религия
Социология
Психология. Педагогика
Законодательство. Право
Филология. Словари
Этнология
ИТ-книги
O'REILLY
Дизайнеру
Дом, семья, быт
Детям!
Здоровье
Искусство. Культурология
Синематограф
Альбомы
Литературоведение
Театр
Музыка
КнигоВедение
Литературные памятники
Современные тексты
Худ. литература
NoN Fiction
Природа
Путешествия
Эзотерика
Пурга
Спорт

/Наука и Техника/Радиоэлектроника. Электротехника

Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы — Ермаков О. Н., Сушков В. П.
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы
Производственное издание
Ермаков О. Н., Сушков В. П.
год издания — 1990, кол-во страниц — 240, ISBN — 5-256-00736-X, тираж — 9000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7Б, масса книги — 320 гр., издательство — Радио и связь
цена: 299.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — очень хорошая

Рецензент д-р техн. наук А. В. Емельянов

Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая
ключевые слова — полупроводник, знакосинтезир, индикатор, цифро-знак, экран, шкал, оптико-электрон, пзс, микросхем, эргоном, оптоэлектрон, алферов, гетеропереход, прямозон, широкозон, кристалл, люминесц, фотометр, цветност

Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов.

Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры.


Развитие современной техники невозможно представить без широкого использования различных устройств для визуального отображения информации.

Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы (ПЗСИ) выгодно отличаются от других типов индикаторов своей универсальностью, так как на их основе можно конструировать устройства и системы отображения информации различного характера (от светящейся точки до текстов и графиков) и назначения (индивидуального, группового и коллективного пользования). Особо следует подчеркнуть, что при использовании ПЗСИ в системах отображения информации блоки приёма, обработки и хранения информации строятся на основе единой элементной базы — на полупроводниковых микросхемах.

Цель настоящей книги заключается в изложении широкого комплекса проблем, связанных с физическими и эргономическими особенностями работы ПЗСИ, с принципами их конструирования и технологии производства, и, наконец, со спецификой применения.

Учитывая динамику развития этого класса оптоэлектронных приборов, авторы сочли необходимым не только рассмотреть современное состояние проблем, но и наиболее подробно остановиться на физико-технологических основах оптимального проектирования ПЗСИ. Для адекватного рассмотрения физических процессов в этих приборах и анализа их потребительских характеристик необходим последовательный учёт многих факторов, связанных как с психофизическими особенностями человеческого зрения, так и с особенностями генерации и вывода светового излучения из кристалла и корпуса ПЗСИ.

Изложенный в книге расчётный аппарат может быть использован не только для прогнозирования достижимого уровня параметров, но и проектирования ПЗСИ на основе новых перспективных полупроводниковых материалов.

Создание современных полупроводниковых индикаторов — результат многолетней исследовательской и инженерной деятельности многих коллективов и отдельных ученых в СССР и за рубежом.

Авторы выражают признательность академику АН СССР Ж. И. Алферову за научную помощь в работах по созданию отечественных ПЗСИ и за обсуждение содержания настоящей книги.

ПРЕДИСЛОВИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие3
Введение4
 
Г л а в а   1.  Эргономические принципы конструиршания
полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов8
1.1. Логика развития индикаторов для систем отображения
    информации8
1.2. Морфологический и эргономический анализ полупроводниковых
    знакосинтезирующих индикаторов14
1.3. Система параметров полупроводниковых знакосинтезирующих
    индикаторов29
 
Г л а в а   2.  Физические принципы работы полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов31
2.1. Зонная диаграмма гомо- и гетеропереходов и особенности
    инжекции неосновных носителей заряда31
2.2. Рекомбинационные процессы в прямозонных материалах43
2.3. Рекомбинационные процессы в непрямозонных материалах50
2.4. Особенности безызлучательной рекомбинации в широкозонных
    полупроводниковых материалах55
 
Г л а в а   3.  Оптимизация параметров светоизлучающих кристаллов62
3.1. Физическая модель светоизлучающего кристалла62
3.2. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе
    прямозонных материалов68
3.3. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе
    непрямозонных материалов76
 
Г л а в а   4.  Технологические особенности получения полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов84
4.1. Технология получения полупроводниковых структур84
4.2. Технология получения светоизлучающего кристалла95
4.3. Технология разделения пластин на кристаллы и сборки приборов104
 
Г л а в а   5.  Особенности конструирования полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов108
5.1. Базовые конструкции108
5.2. Физические основы конструирования свето-излучающих диодов
    и многоэлементных индикаторов110
5.3. Особенности конструирования цифро-знаковых индикаторов119
5.4. Особенности конструирования модулей экрана127
5.5. Особенности конструирования линейных шкал130
 
Г л а в а   6.  Перспективные полупроводниковые материалы в технологии
знакосинтезирующих индикаторов132
6.1. Бинарные соединения132
6.2. Трёхкомпонентные твёрдые растворы139
6.3. Четырёхкомпонентные твёрдые растворы144
6.4. Цветовые характеристики люминесценции в полупроводниковых
    материалах и проблема космоцветных индикаторов149
 
Г л а в а   7.  Влияние дестабилизирующих факторов на параметры
полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов153
7.1. Влияние изменений температуры окружающей среды153
7.2. Физико-технологические принципы управления температурной
    зависимостью излучательных характеристик индикаторов161
7.3. Влияние деградационных явлений на излучательные характеристики
    индикаторов164
7.4. Радиационные эффекты в светоизлучающих приборах171
 
Г л а в а   8.  Оптимизация условий функционирования полупроводниковых
знакосинтезирующих индикаторов174
8.1. Основные характеристики и режимы функционирования174
8.2. Оптимизация режимов функционирования179
 
Г л а в а   9.  Применение полупроводниковых знакосинтезирующих
индикаторов185
9.1. Области применения185
9.2. Схемы управления полупроводниковыми знакосинтезирующими
    индикаторами189
9.3. Проблемы интеграции знакосинтезирующих индикаторов со
    схемами управления198
9.4. Оптимизация эргономических характеристик ПЗСИ в системах
    отображения информации203
 
Заключение210
Приложение 1. Основные свойства соединений AIIIBV213
Приложение 2. Основные параметры и характеристики
    полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов215
Приложение 3. Относительная спектральная световая эффективность
    (функция .видности) излучения для стандартного
    фотометрического наблюдателя МКО218
Приложение 4. Ординаты кривых сложения х(λ), у(λ), z(λ),
    используемых при расчётах координат цветности в системе XYZ218
Приложение 5. Координаты цветности монохроматических излучений в
    системе XYZ (контур цветового графика МКО)220
Приложение 6. Относительная спектральная плотность излучения Ф
    стандартных источников света A, B, C и D65222
Список литературы224
Предметный указатель234

Книги на ту же тему

  1. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  2. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках, Зырянов П. С., Клингер М. И., 1976
  3. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
  4. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
  5. Основы кристаллохимии неорганических соединений, Кребс Г., 1971

Напишите нам!© 1913—2013
КнигоПровод.Ru
Рейтинг@Mail.ru btd.kinetix.ru работаем на движке KINETIX :)
elapsed time 0.032 secработаем на движке KINETIX :)